• Metoder för tillväxt av halvledarstrukturer,
• Kristallstrukturer,
• Energiband - olika modeller,
• Defekter i halvledare, Effektiv mass-modellen,
• Fördelningsfunktioner för elektroner och hål,
• Transportegenskaper, spridningsprocesser,
• Optiska egenskaper, Absorption, Excitoner,
• Rekombinationsprocesser.

• Heterostrukturer,
• Kvantbrunnar, supergitter: Tillståndstäthet, dopning, elektronisk struktur, karakterisering,
• Kvant-Hall effekten, Stark effekt,
• Moderna metoder för karakterisering av halvledare (optiska, elektriska, magnetiska etc),
• Kvanttrådar och kvantpunkter.

• Rekombination i halvledare, strålande processer, luminiscens,
• Optisk karakterisering av halvledare med Fouriertransformteknik (Fononer, defekter).

Kunskap och förståelse
Efter genomgången kurs skall studenten

• förstå och med egna ord beskriva optiska, elektriska och transportrelaterade egenskaper hos halvledare
• kunna redogöra för kristallstrukturer, bandmodeller, olika typer av dopning samt dopningens effekt på olika egenskaper i halvledarmaterialet
• förstå och med egna ord beskriva effekten av att dimensionaliteten reduceras hos en halvledare

Tillämpning och bedömning:
Efter genomgången kurs skall studenten kunna

• beräkna parametrar som t ex laddningsbärarkoncentration, Fermi-energi, dopnings-nivå och –energier samt mobilitet från givna mätdata
• demonstrera förmåga att självständigt välja och använda adekvata beräkningsmetoder för att bestämma dopningsenergier hos bulkhalvledare samt kvantiseringseffekter i kvantstrukturer
• använda några vanliga elektriska och optiska karakteriseringsmetoder på halvledare

Förmåga till kommunikation:
Efter genomgången kurs skall studenten kunna

• skriva en laborationsrapport med en analys av mätdata och värdering av felkällor
• självständigt tillgodogöra sig väsentlig information, tolka resultat samt göra en analys av inhämtad information från vetenskapliga artiklar och kunna presentera detta muntligt eller skriftligt